半導體生產廢氣、電子廠廢氣的形成

半導體生產制造過程可以分為3個階段：晶體材料生產階段、各種型號晶片制造階段和組裝階段，其中污染輕的組裝階段僅涉及組裝工藝，污染較為嚴重的是晶片制造階段。

清洗工藝為保留芯片表面特性，采用化學溶液有效的清除半導體硅片表面的灰塵、殘留有機物和吸附在表面的各種離子，主要產生各類廢氣及廢液。晶圓鍵合以有無中間過渡層可分為直接鍵合和中間層鍵合，而直接鍵合方式具有鍵合強度高的優勢，是目前應用的主流，鍵合工序污染較小僅產生廢水。

氧化是在高溫惰性環境下，通入氧氣或含氧水汽，將硅片表面的硅氧化生長氧化層，過程一般是將作為原料的硅晶圓片放入潔凈的石英爐管中，主要產生工藝廢氣。光刻是芯片制造的核心工藝，包括涂膠、曝光、顯影3個步驟。涂膠工藝是摻雜的過程主要采用離子注入技術進行摻雜，以改變所使用的材料的電學性質，在電子噴淋裝置中，用氙氣產生的等離子體中和硅片表面的正電荷，主要產生工藝廢氣。

在硅片的表面通過硅片高速旋轉從而使其表面均勻地涂上光刻膠；曝光工藝為使用光刻機，并使用光掩膜版對已涂膠的硅片進行光照，；顯影工藝為去除曝光后硅片上的光刻膠，這些過程產生污染較大，產生廢氣、廢水、固體廢物。刻蝕技術主要分為兩大類：液態的濕法刻蝕和氣態的干法刻蝕。干法刻蝕：干法刻蝕也是一種去除光刻膠未覆蓋區域的薄膜的主要產生工藝廢氣。

半導體生產廢氣、電子廠廢氣特性
半導體工業在加工的過程中會使用到光刻膠、蝕刻液、清洗劑、顯影劑等溶劑，而這些溶劑是含有大量的有機物成分，排放出來的廢氣含有HCl、氨、HF等危險污染物，而主要處理的是具有揮發性的VOCs。

溫馨提示：VOCs污染物為有機化合物，在濃度較高且有火花或靜電情況下，極易發生閃爆現象。
半導體在制造過程中一般的污染源包括顆粒污染物、金屬離子和化學物質等，而這些都是屬于有害的污染物。

VOC廢氣處理可使用如下工藝設備
1. UV光解催化氧化法、低溫等離子法、活性炭凈化法、混合處理法
2. 催化燃燒處理法（CO）
3. 蓄熱式催化燃燒法（RCO）
4. 沸石轉輪+CO/沸石轉輪+TO/沸石轉輪+RCO/沸石轉輪+RTO